[金奖展示]不断推动全球信息化进程

文章来源: 中国企业知识产权网
发布时间: 2013/11/25 14:37:52
 



  如今,人们的生活已经离不开数码设备,从个人电脑、智能手机、数码消费类产品,到功能强大的服务器以及其他先进技术设备,这些都大大推动了全球经济的飞速发展,而它们的存在和发展正是依赖于复杂的半导体芯片。
  如果说半导体芯片的发明是20世纪的一项创举,开创了信息时代的先河,那么半导体设备制造业的发展则是推动全球信息化进程不断加快的关键因素。中微半导体设备(上海)有限公司就是一家半导体设备制造企业,其研发的“感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法”(专利号:200910049960.6)专利涉及的一种从被加工半导体工艺件消除残余电荷的技术,与现有技术相比,能够减少去夹持失败,通过从处理的衬底将残余电荷放电,并通过收集上一次去夹持过程的数据来优化后续的去夹持过程。
  该专利解决了去夹持系统效果差、无法与整体系统整合的问题。在传统技术中,利用顶针放电都是通过滤波器、电阻等实现接地,这些被动元件的组合虽然能够实现放电,但是不能实现基片放电过程的优化,在不同的基片批次不同的处理流程中需要被释放的电荷数量是不同的,要用一个固定的电路保证实现短时间放电,就需要在这些被动元件在设计参数时留出足够的裕量,以保证在最坏情况下也能实现放电。这些过度设计的参数在本身残留电荷不多的情况下会造成时间和成本浪费。而该专利由于在放电回路上设置了残余电荷感测器,所以能够测量当前去夹持过程中的放电量,有了这个关键数据就能通过反馈控制静电夹盘的反向电压的值来实现主动优化控制,在去夹持过程后通过优化控制可以实现基片上残余电荷基本为零,接地放电的时间大大缩短。
  点评:
  “感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法”的技术方案可以满足生产关键尺寸小于90纳米介质刻蚀设备的需求,该公司研制生产的65-45纳米介质刻蚀设备、32-22纳米介质刻蚀设备以及正在研发的22-14纳米介质刻蚀设备均采用该专利的技术方案对处理区域的等离子体进行约束。这件专利的技术方案解决了等离子体刻蚀领域的一个重大技术难题,引领了更为精密等离子体刻蚀机台的技术走向,为等离子体刻蚀机台的更新换代打下坚实的基础。(记者 柳鹏 于朗添 实习记者 姜伯平)


(编辑:白逸群)